摘要 |
<B>Dispositivo temioslétrico de pequena dimensão fabricado através de corrosão química de uma bolacha de semicondutor.<D> Em algumas formas de realização, a presente invenção é direcionada aos dispositivos termoelétricos compreendendo elementos termoelétricos de estrutura nano, tais elementos termoelétricos de estrutura nano sendo formados através da corrosão de bolachas de semicondutor corroidas. A presente invenção também é direcionada aos métodos para a fabricação e uso de tais dispositivos termoelétricos, assim como aos sistemas os quais empregam tais dispositivos. Tais dispositivos e as suas manufaturas são únicas pelo fato de que empregam uma solução do "topo para baixo" para a formação dos materiais termoelétricos de estrutura nano ou de pequena dimensão empregados no presente. |