发明名称 Defekt-Reperaturvorrichtung und Verfahren für EUV Maske
摘要 Eine Defekt-Reparaturvorrichtung für eine EUV-Maske umfasst: eine Gasfeld-Ionenquelle, die einen Wasserstoffionenstrahl erzeugt; ein ionenoptisches System, das den Wasserstoffionenstrahl rasterartig führt und projiziert, indem der Wasserstoffionenstrahl auf die EUV-Maske fokussiert wird; einen Probentisch, auf den die EUV-Maske zu legen ist; einen Detektor, der Sekundärladungsteilchen detektiert, die von der EUV-Maske erzeugt werden; und eine Abbildformeinheit, die ein Beobachtungsbild der EUV-Maske auf der Basis eines Ausgangsignals von dem Detektor formt.
申请公布号 DE102011008924(A1) 申请公布日期 2011.08.04
申请号 DE20111008924 申请日期 2011.01.19
申请人 SII NANO TECHNOLOGY INC. 发明人 OGAWA, TAKASHI;OBA, HIROSHI;ARAMAKI, FUMIO;YASAKA, ANTO
分类号 G03F1/22;G03F1/24;G03F1/72;G03F1/74;H01J27/26;H01J37/317;H01L21/027 主分类号 G03F1/22
代理机构 代理人
主权项
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