Strahlenwandlermaterial, Strahlenwandler, Strahlendetektor, Verwendung eines Strahlenwandlermaterials und Verfahren zur Herstellung eines Strahlenwandlermaterials

摘要

Die Erfindung betrifft ein Strahlenwandlermaterial (1) mit einem zur direkten Wandlung von Strahlenquanten (2) in elektrische Ladungsträger (3) verwendeten Halbleitermaterial (4), welches einen Dotierstoff (5) in einer vorgegebenen Dotierstoffkonzentration und prozessbedingt erzeugte Defektstellen (6) derart aufweist, dass das Halbleitermaterial (4) einen spezifischen ohmschen Widerstand in einem Bereich zwischen 5·107Ω·cm und 2·109Ω·cm aufweist. Ein solches Strahlenwandlermaterial (1) ist den Anforderungen insbesondere bei humanmedizinischen Anwendungen hinsichtlich der vorliegenden hohen Flussrate und der spektralen Verteilung der Strahlenquanten (2) besonders gut gewachsen. Dir (7) und einen Strahlendetektor (8), sowie eine Verwendung als auch ein Herstellungsverfahren eines solchen Strahlenwandlermaterials (1).