Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium mit einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium mit einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht, umfassend das Ablegen einer Platzhalterscheibe auf einem Suszeptor eines Epitaxiereaktors; das Durchleiten eines Ätzgases durch den Epitaxiereaktor zum Entfernen von Rückständen auf Oberflächen im Epitaxiereaktor durch Einwirkung des Ätzgases; das Durchleiten eines ersten Abscheidegases durch den Epitaxiereaktor zum Abscheiden von Silizium auf Oberflächen im Epitaxiereaktor; das Ersetzen der Platzhalterscheibe durch eine Substratscheibe aus Silizium; und das Durchleiten eines zweiten Abscheidegases durch den Epitaxiereaktor zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf der Substratscheibe.