Photovoltaische Mehrfach-Dünnschichtsolarzelle

摘要

Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Mehrfach-Dünnschichtsolarzelle, umfassend ein Trägersubstrat (1) sowie zumindest eine obere und eine untere Teilzelle, die jeweils als pin-Struktur, welche eine p-leitende Schicht (p-Schicht), eine n-leitende Schicht (n-Schicht) und eine zwischen p- und n-Schicht angeordnete intrinsische Schicht (i-Schicht) umfasst, ausgebildet sind, wobei ausgehend von einer für den Lichteinfall ausgebildeten Vorderseite der Dünnschichtsolarzelle, auf dem Trägersubstrat und/oder auf einer oder mehreren weiteren Schichten, zunächst die obere Teilzelle (3) angeordnet ist, bei der die i-Schicht aus hydrogenisiertem amorphem Silizium ausgebildet ist und weiterhin unterhalb der oberen Teilzelle, gegebenenfalls auf einer oder mehreren weiteren Zwischenschichten, die untere Teilzelle (5) angeordnet ist und wobei bei jeder Teilzelle jeweils die p-leitende Schicht auf der der Vorderseite zugewandten Seite angeordnet ist. Wesentlich ist, dass bei der unteren Teilzelle die i-Schicht aus mikrokristallinem Germanium ausgebildet ist.