多波长发光二极管

摘要

本实用新型公开了一种多波长发光二极管，包括：复数个多量子阱发光单元；位于所述复数个多量子阱发光单元上方的p型掺杂的AlGaN层、p+掺杂的GaN层，透明导电膜以及p型欧姆接触电极；位于所述复数个多量子阱发光单元下方的n+掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、GaN缓冲层、n型欧姆接触电极以及衬底；其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长沿光传播方向递减。本实用新型的多波长发光二极管能够发出多个波长的光线，混合后成为白光，从而提高能量转化效率并降低制造成本。

主权项

一种多波长发光二极管，其特征在于包括：复数个多量子阱发光单元；位于所述复数个多量子阱发光单元上方的p型掺杂的AlGaN层、位于所述p型掺杂的AlGaN层上方的p+掺杂的GaN层，位于所述p+掺杂的GaN层上方的透明导电膜以及位于所述透明导电膜上方的p型欧姆接触电极；位于所述复数个多量子阱发光单元下方的n+掺杂的GaN层、位于所述n+掺杂的GaN层下发的n型掺杂的GaN层、位于所述n型掺杂的GaN层下方的GaN缓冲层、与所述n+掺杂的GaN层接触的n型欧姆接触电极，以及位于所述GaN缓冲层下方的衬底；其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长沿光传播方向递减。