发明名称 |
浮动栅极存储器装置和制造 |
摘要 |
一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极间介电层与所述阵列中其它晶体管中的每一者的栅极间电介质隔离。还提供制造此类结构的方法。 |
申请公布号 |
CN101473429B |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN200780022954.0 |
申请日期 |
2007.06.20 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
有留诚一 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
王允方 |
主权项 |
一种浮动栅极存储器阵列,其包括:多个晶体管,其以多个行和列布置,其中所述多个晶体管中的每一者均包括:浮动栅极,其安置于第一隔离氧化物区域与第二隔离氧化物区域之间;控制栅极;以及栅极间介电层,其安置于所述浮动栅极与所述控制栅极之间,其中对所述栅极间介电层进行平坦化以使得其与所述第一和第二隔离氧化物区域的顶面平齐;且其中所述多个晶体管中的每一者的相应栅极间介电层与所述多个晶体管中的其它晶体管中的每一者的所述栅极间介电层隔离。 |
地址 |
美国爱达荷州 |