半导体结构及半导体装置的制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体结构及半导体装置的制造方法，所述半导体结构具有T型立柱(post)。T型立柱具有底层凸块金属化(under bump metallization，UBM)部及延伸自UBM部的一柱体部。UBM部及柱体部可由相同或不同的材料所构成。在一实施例中，一基底，例如芯片、晶片、印刷电路板、封装基底等等，具有T型立柱且与另一基底(例如，芯片、晶片、印刷电路板、封装基底等等)的接触窗接合。T型立柱可具有一焊料预先形成于柱体部上，使柱体部露出来或使焊料覆盖柱体部。在另一实施例中，T型立柱可形成于一基底上，而焊料则形成于另一基底上。本发明能够维持半导体装置的结构完整性，防止在凸块电极/立柱与焊球/凸块之间的接垫区域内形成裂缝。

主权项

一种半导体结构，包括：一第一基底，包括一第一导电层；一T型立柱，电性耦接至该第一导电层，该T型立柱具有一底层凸块金属化部与该第一导电层接触，且具有一柱体部延伸自该底层凸块金属化部，该底层凸块金属化部具有一第一宽度且该柱体部具有一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度；一第二基底，具有一第二导电层；一焊料，围绕该柱体部且与该第一导电层及该第二导电层作电性接触；以及一介金属化合物层，位于该柱体部与该第二导电层之间，该介金属化合物层连续性地延伸至该第二导电层与该柱体部之间。