使用具有非均匀厚度的电介质的存储器单元

摘要

通过将电荷注入到存储器单元的电荷贮存层(42，116)中对存储器单元(36，110)编程。所需的已编程电荷产生在存储器单元的沟道区域的边缘部分上方的电荷贮存层。不需要的已编程电荷产生在沟道区域的内部部分上方的电荷贮存层。电荷隧穿用于基本上移除电荷贮存层中不需要的已编程电荷。在一种形式中，存储器单元具有衬底(38，112)，该衬底具有沟道区域；第一介电层(40，114)，位于衬底上方；以及电荷贮存层(42，116)，位于第一介电层上方。电荷贮存层上方的第二介电层(44，130)具有比第二部分(106)厚的第一部分(58或54；104或108)，以选择性地控制所述电荷隧穿。

主权项

一种存储器单元，包括：衬底，具有沟道区域；第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层具有比第二部分厚的第一部分，所述第一介电层的所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；电荷贮存层，位于所述第一介电层上方；第二介电层，位于所述电荷贮存层上方，所述第二介电层具有比第二部分厚的第一部分，所述第二介电层的所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；栅极，位于所述第二介电层上方和所述沟道区域上方，所述栅极具有第一侧壁和第二侧壁；第一侧壁氧化物和第二侧壁氧化物，位于所述第二介电层的边缘并且分别与所述栅极的全部第一侧壁和第二侧壁相邻，其中，所述栅极的第一侧壁位于所述第二介电层的所述第一部分上方；以及侧壁隔层，与所述第一侧壁氧化物和所述第二侧壁氧化物相邻形成。