| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102142488A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010620144.9 | 申请日期 | 2004.02.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，包含：至少在表面的一部分上具有错位集中的表面区域的基板，和在基板表面上形成、并在上表面具有凹部的半导体元件层；所述半导体元件层包括活性层；所述凹部在所述表面区域上形成，所述凹部的底面位于比所述活性层更下方。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||