| 发明名称 | 一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其包括CMOS、下电极、阻变材料层、上电极和金属层。其中，下电极、阻变材料层、上电极和金属层自下而上地设置形成柱状的栓，栓设置在CMOS的保护源或漏区，金属层与上电极电性连接。本发明还提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器的制备方法。本发明具有低成本，制造步骤简短，器件尺寸更小等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102142519A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201110001524.9 | 申请日期 | 2011.01.06 |
| 申请人 | 上海新储集成电路有限公司 | 发明人 | 吴关平;陈邦明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人 | 董红曼 |
| 主权项 | 一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其特征在于，其包括CMOS（1）、下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）；所述下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）自下而上地设置形成柱状的栓，所述栓设置在所述CMOS（1）的保护源或漏区。 | ||
| 地址 | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 | ||