MEMS圆片级真空封装方法

摘要

本发明公开一种真空度维持时间长的MEMS玻璃微腔真空封装工艺，包括以下步骤：首先利用Si微加工工艺在硅圆片上刻蚀深的封装槽，并在其周围刻蚀相对较浅的环状的真空缓冲槽，然后将上述刻有微槽的硅圆片与玻璃圆片进行键合，使玻璃圆片与上述特定图案形成密封腔体，再将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至，保温，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体内流动，从而形成与上述微腔图案结构相应的微腔结构，冷却，将上述圆片在常压下退火消除应力，接着，腐蚀将硅片去掉。第五步，将硅片和玻璃片在1Pa-10Pa的气氛下进行阳极键合，形成整个真空封装。本发明通过在封装腔周围制备环形真空缓冲腔，提高了封装腔内真空度的维持能力。

主权项

一种MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，利用Si微加工工艺在硅圆片(1)上刻蚀封装槽(2)，并在其周围刻蚀环状的真空缓冲槽(6)，封装槽(2)的深度大于环状的真空缓冲槽(6)，第二步，将上述刻有微槽的硅圆片(1)与Pyrex7740玻璃圆片(3)在1Pa‑30kPa的气氛下进行键合，使Pyrex7740玻璃圆片分别与上述封装槽(2)和环状的真空缓冲槽(6)形成密封腔体，第三步，将上述硅圆片和玻璃圆片在一个大气压下加热至740℃～890℃，保温3～8min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体流动，从而形成分别与上述封装槽(2)和环状的真空缓冲槽(6)相应的微腔结构：封装腔(4)及围绕其的环形的真空缓冲腔(5)，冷却，将上述硅圆片和玻璃圆片在常压下退火消除应力，第四步，腐蚀去除硅圆片，第五步，将有MEMS器件(7)的硅片(1)和带封装腔(4)和真空缓冲腔(5)的玻璃圆片(3)在1Pa‑10Pa的气氛下进行阳极键合，形成整个真空封装。