| 发明名称 | 非直接结合铜隔离的横向宽带隙半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供非直接结合铜隔离的横向宽带隙半导体器件。一种半导体器件，包括：散热器、直接覆盖在散热器上的缓冲层、和由Ⅲ族元素氮化物所构成并且覆盖在缓冲层上的外延层。另一种半导体器件，包括：散热器、直接覆盖在散热器上的基底、直接覆盖在基底上的缓冲层、和由Ⅲ族元素氮化物所构成并且覆盖在缓冲层上的外延层。外延层由Ⅲ族元素氮化物构成会使得各种外延层能够与它们各自的散热器电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN102142409A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201110031230.0 | 申请日期 | 2011.01.28 |
| 申请人 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 发明人 | G. R.伍迪;T. G.沃德;K.布特罗斯;B.休斯 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张群峰 |
| 主权项 | 一种器件，包括：散热器；缓冲层，其直接覆盖在所述散热器上；以及外延层，其由Ⅲ族元素氮化物构成并且覆盖在所述缓冲层上。 | ||
| 地址 | 美国密执安州 | ||