发明名称 |
半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构 |
摘要 |
本发明关于一种半导体工艺、半导体组件及具有半导体组件的封装结构。该半导体组件包括一基材及至少一穿导孔结构。该基材具有一第一表面、一第二表面、至少一沟槽及至少一基座,该沟槽开口于该第一表面,该基座位于该第一表面。该穿导孔结构位于该基材的沟槽内,且凸出于该基材的第一表面,该基座环绕该穿导孔结构。藉此,该基座提升该穿导孔结构的强度,避免该穿导孔结构断裂。 |
申请公布号 |
CN102142382A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201010119964.X |
申请日期 |
2010.02.02 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
郑斌宏 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种半导体工艺,包括:(a)提供一半导体组件,该半导体组件包括一基材及至少一导电孔结构,该基材具有一上表面、一第二表面及至少一沟槽,该导电孔结构位于该沟槽内,且具有一第一端及一第二端;及(b)利用一非等向性蚀刻液,从该基材相对于该第二表面的一侧移除部分该基材,以形成一第一表面及至少一基座,使该沟槽开口于该第一表面,该导电孔结构凸出于该基材的第一表面,以形成一穿导孔结构,该基座位于该第一表面且环绕该穿导孔结构。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |