| 发明名称 | 具有变化热阻的晶片载体 | ||
| 摘要 | 在化学气相沉积装置中，晶片载体(32)具有保持晶片的顶表面(34)以及被来自的加热元件(28)辐射热传递加热的底表面(36)。由于例如凹部(54)等特征，晶片载体的底表面(36)为非平面，因此晶片载体在不同位置处具有不同的厚度。晶片载体的较厚部分具有较高的热阻。不同位置处的不同热阻抵消对于晶片的热传递的不期望的非均匀性。晶片载体可具有凹槽，该凹槽具有凸起(553，853)，以用于接合晶片边缘上的间隔位置。 | ||
| 申请公布号 | CN102144280A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200980134785.9 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 威科仪器有限公司 | 发明人 | B·沃尔夫;B·瑟德曼;E·A·阿穆尔 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王永建 |
| 主权项 | 一种化学气相沉积装置，其包括：(a)反应室；(b)与反应室连通的气体入口结构；(c)安装在反应室中的加热元件；以及(d)晶片载体，其包括本体，该本体具有相反朝向的顶表面和底表面，所述晶片载体安装在反应室中，从而使得加热元件放射出的热量将主要通过辐射从加热元件向本体的底表面传递，所述本体具有多个晶片保持区域，所述本体在每个晶片保持区域中限定出晶片支承部，所述晶片支承部适于保持晶片，其中所述晶片的顶表面暴露于本体的顶表面，所述本体的底表面为非平面，以使得本体的厚度变化，加热元件与晶片载体的顶表面上的任意位置之间的总热阻直接根据所述位置处的本体的厚度变化。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||