发明名称 |
基于高阶腔体谐振模式的高增益集成天线 |
摘要 |
本发明涉及一种基于高阶腔体谐振模式的高增益集成天线。传统天线的背腔由光滑的金属腔体构成,体积大加工成本高。本发明包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的上金属层和涂覆在介质基片下表面的下金属层。多个贯穿上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成电互连阵列;上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体,馈电单元伸入腔体内;在腔体内部区域内贯穿上金属层、介质基片和下金属层的多个电互连单元组构成的多个调谐电互连组;在腔体区域内部的上金属层的开设的多条相互平行的辐射缝隙。本发明极大地减小了背腔天线的体积,制作成本显著降低,并可与平面电路实现无缝集成。 |
申请公布号 |
CN102142617A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201110024228.0 |
申请日期 |
2011.01.21 |
申请人 |
杭州电子科技大学 |
发明人 |
罗国清;董林玺;黄刚;孙玲玲 |
分类号 |
H01Q13/18(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q13/18(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
杜军 |
主权项 |
基于高阶腔体谐振模式的高增益集成天线,其特征在于该天线包括:介质基片;涂覆在介质基片上表面的上金属层和涂覆在介质基片下表面的下金属层;多个贯穿上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成的电互连阵列,构成电互连阵列的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1;上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体;伸入腔体内的馈电单元;在腔体内部区域内贯穿上金属层、介质基片和下金属层的多个电互连单元组构成的多个调谐电互连组,构成调谐电互连组的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1;和在腔体区域内部的上金属层的开设的多条相互平行的辐射缝隙。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |