| 发明名称 | 掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底，其中III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，N代表氮。在所述掺杂的III-N大块晶体和自支撑的、掺杂的III-N衬底中，掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一地分布。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子浓度和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102140696A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010623047.5 | 申请日期 | 2006.08.09 |
| 申请人 | 夫莱堡复合材料公司 | 发明人 | 费迪南德·肖尔茨;彼得·布鲁克纳;弗兰克·哈贝尔;贡纳尔·莱比戈 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 掺杂的III‑N大块晶体，其特征在于，具有选自下述参数(a)至(c)的均一性参数：(a)在显微拉曼图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，LPP+模式的所测得的频率位置的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少；(b)在MDP图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，光电导性信号的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少；(c)在显微光致发光图谱中，(i)在平行于生长平面的面上和/或(ii)在生长方向上的面上，D0X跃迁的线宽度的标准偏差在情况(i)下为5％或者更少，在情况(ii)下为10％或者更少。 | ||
| 地址 | 德国夫莱堡 | ||