| 发明名称 | 具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与一对互连结构相连接，并位于熔丝周围。 | ||
| 申请公布号 | CN102142424A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010237546.0 | 申请日期 | 2010.07.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 尹英熙;崔俊基;辛尚勋 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路，包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与所述一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与所述一对互连结构相连接，并位于所述熔丝周围。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||