发明名称 |
光学器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中,芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中,所以根据硅光电子技术,光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地,例如,光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。 |
申请公布号 |
CN102141650A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201010578730.1 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
池晧哲;金奇南;邢庸宇;罗敬远;河镜虎;朴允童;裵大录;卜镇权;姜泌圭 |
分类号 |
G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/122(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种光学器件,包括:设置在半导体衬底中的沟槽;设置在所述沟槽中的第一包层;以及设置在所述第一包层之上的至少一个芯区。 |
地址 |
韩国京畿道 |