含有缩合类聚合物的半导体用防反射膜

摘要

本发明的课题在于提供一种防反射效果好、不发生与光致抗蚀剂的混合、可以用于使用ArF准分子激光和F2准分子激光等照射光的光刻工艺中的防反射膜，及用于形成防反射膜的组合物。本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构、咪唑烷三酮结构或三嗪三酮结构的聚合物和溶剂。

主权项

1.一种形成防反射膜的组合物，含有具有式(1)所示结构的聚合物和溶剂，进一步含有交联性化合物，上述交联性化合物是含有2～4个被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物，式(1)：式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅、和A₆，分别表示氢原子、甲基或乙基，X₁表示式(2)、式(3)、式(4)、或式(5)：式中，R₁和R₂分别表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数为3～6的链烯基、苄基、或苯基，而且，上述苯基可以被选自碳原子数为1～6的烷基、卤原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基和碳原子数为1～6的烷基硫基中的基团取代，另外，R₁和R₂可以互相结合形成碳原子数为3～6的环，R₃表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为3～6的链烯基、苄基或苯基，而且，上述苯基可以被选自碳原子数为1～6的烷基、卤原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基和碳原子数为1～6的烷基硫基中的基团取代，Q表示式(6)或式(7)，式中Q₁表示碳原子数为1～10的亚烷基、亚苯基、亚萘基、或亚蒽基，而且，上述亚苯基、亚萘基、和亚蒽基可以分别被选自碳原子数为1～6的烷基、卤原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基和碳原子数为1～6的烷基硫基中的基团取代，n₁及n₂分别表示0或1，X₂表示式(2)、式(3)、或式(5)，其中，具有上述式(1)所示结构的聚合物是通过式(8)所示化合物、和式(9)所示化合物的反应来制造的聚合物，式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅、A₆、X₁和Q表示与上述定义相同的含义，或者，具有上述式(1)所示结构的聚合物是通过式(10)所示化合物和式(11)所示化合物的反应来制造的聚合物，式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅、A₆、X₁和Q表示与上述定义相同的含义。