制造半导体器件的方法

摘要

将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件有第一TFT和第二TFT，其中，用包括两层的叠层结构的相同导电层形成所述第一TFT和所述第二TFT的栅电极，所述方法包括：通过第一曝光方式形成第一光刻胶掩模；用所述第一光刻胶掩模腐蚀所述导电层的第一区域，以形成所述第一TFT的栅电极；所述腐蚀之后，向所述第一TFT的第一半导体有源层掺杂第一杂质元素；所述掺杂之后通过第二曝光方式形成第二光刻胶掩模；用所述第二光刻胶掩模腐蚀与所述第一区域不同的所述导电层的第二区域，以形成所述第二TFT的栅电极；和所述第二区域的所述腐蚀之后，向所述第二TFT的第二半导体有源层掺杂第二杂质元素，其中，在所述第一区域的所述腐蚀中制造具有锥形的边缘部分的栅电极，以及其中，在所述第二区域的所述腐蚀中制造具有垂直边缘部分的栅电极。