一种SOI型P-LDMOS

摘要

本发明提供了一种SOI型P-LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧，所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域。该方案与现有技术相比，相邻的两个未耗尽的n+掺杂区之间形成了界面电荷岛，当外加电压时，在库仑力的作用下，空穴积累在半导体有源层与介质埋层的交界面，能够增强介质埋层的电场强度，从而提高该器件的纵向击穿电压，以实现在不增加半导体有源层和介质埋层厚度的前提下，提高SOI型P-LDMOS的击穿电压，实现提升其高压应用范围的能力。同时，该方案可以简化SOI型P-LDMOS的制造工艺，提高其生产效率。

主权项

一种SOI型P‑LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，其特征在于：所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧；所述P‑LDMOS的半导体有源层内无轻掺杂漏区域。