一种具有衬底触发的栅极接地NMOS管的器件

摘要

本发明公开了一种衬底触发的栅极接地NMOS管，用于核心电路的ESD防护，包括衬底、源极和栅极接地，漏极连接核心电路的输入端的GGNMOS管；漏极连接GGNMOS管的衬底，源极和衬底连接核心电路的输入端，栅极连接核心电路的VDD电源线的PMOS管。本发明通过用PMOS来取代Native NMOS，用VDD作为PMOS的控制信号，既能使得多叉指GGNMOS均匀开启，提高器件的鲁棒性，同时利用VDD作为控制信号能大大简化控制电路，而且又不额外增加面积。

主权项

一种具有衬底触发的栅极接地NMOS管的器件，用于核心电路的ESD防护，其特征在于，包括：一多叉指栅极接地NMOS管(101)，其衬底、源极和栅极接地，其漏极连接核心电路的输入端；一PMOS管(102)，该PMOS管的漏极连接多叉指栅极接地NMOS管(101)的衬底，该PMOS管的源极和衬底连接核心电路的输入端，该PMOS管的栅极连接核心电路的VDD电源线。