发明名称 极坐标混合栅格阵列封装
摘要 一种栅格阵列封装,包括围绕所述封装的周界的由电触点构成的矩形图案。所述栅格阵列封装还包括位于所述矩形图案内侧并与之同心的由电触点构成的极坐标图案。所述栅格阵列封装还包括布置在所述矩形图案和所述极坐标图案之间的额外的电触点。
申请公布号 CN101681892B 申请公布日期 2011.08.03
申请号 CN200880018534.X 申请日期 2008.04.01
申请人 英特尔公司 发明人 D·克雷文;J·G·米利泰洛;E·纳尔逊
分类号 H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;王英
主权项 一种栅格阵列封装,包括:围绕所述栅格阵列封装的周界按照矩形图案布置的第一多个电触点;以及处于所述第一多个电触点内侧的按照非矩形图案布置而不布置在矩形栅格上的第二多个电触点,所述第二多个电触点形成清空区的非矩形外边界;以及处于所述封装的中央的由电触点构成的矩形栅格,所述由电触点构成的矩形栅格形成所述清空区的矩形内边界。
地址 美国加利福尼亚