| 发明名称 | 一种功率MOS器件硅沟槽制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率MOS器件硅沟槽制作方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）进行LPSiN掩蔽层的刻蚀；2）进行硅沟槽的刻蚀，该方法操作简单，易于控制，只需控制硅沟槽刻蚀过程中各步骤的刻蚀时间即可控制沟槽的形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN102142377A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201110032785.7 | 申请日期 | 2011.01.30 |
| 申请人 | 福建福顺微电子有限公司 | 发明人 | 张鹏;熊爱华;梅海军;李豪;林立桂;林善彪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种功率MOS器件硅沟槽制作方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）进行LPSiN掩蔽层的刻蚀；2）进行硅沟槽的刻蚀。 | ||
| 地址 | 350018 福建省福州市仓山区城门镇城楼260号 | ||