在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法

摘要

本发明公开了在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法，用于解决现有的化学镀方法制备电极时结合力差的技术问题。技术方案是利用氯金酸(HAuCl4·4H2O)和氯铂酸(H2PtCl6·6H2O)溶液的化学镀工艺和半导体光刻工艺，在CdTe、Cd1-xZnxTe和Cd1-xMnxTe(0＜x＜1)半导体晶片表面制备金铂合金(AuyPt1-y，0＜y＜1)电极，提高了CdTe、Cd1-xZnxTe和Cd1-xMnxTe(0＜x＜1)半导体晶片与金铂合金电极的结合力，得到了致密性好，与基底结合牢固，与外电路连接过程中无剥落现象，电学性能优良的金铂合金电极。

主权项

1.一种在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法，其特征在于包括以下步骤：(a)选取阻抗ρ＞10⁸Ω·cm的CdTe、阻抗ρ＞10⁹Ω·cm的Cd_1-xZn_xTe和阻抗ρ＞10⁹Ω·cm的Cd_1-xMn_xTe(0＜x＜1)晶片，进行机械抛光，之后在丙酮溶液中超声清洗；(b)用半导体光刻工艺在晶片表面制备出所需的电极式样，对不需要镀电极的晶片表面涂胶保护；(c)配制氯金酸和氯铂酸溶液浓度分别为Ag/L和Bg/L，用移液器分别取氯金酸和氯铂酸溶液V₁L和V₂L，其中，y为金铂合金电极中Au的相对原子含量，M_A和M_B分别为氯金酸和氯铂酸的相对分子质量。之后用去离子水稀释，缓慢加热至40～60℃，并用稀盐酸调节pH为4～6；(d)将经步骤(b)处理的晶片全部浸入到步骤(c)配制的溶液中，保持40～60℃不变，缓慢搅动溶液并保持3～5min，在晶片表面会得到100至200nm厚的光亮的金属薄膜，取出后立即放入去离子水中清洗，氮气吹干；(e)将步骤(d)得到的晶片浸入丙酮中，溶解掉保护的光刻胶，并用去离子水清洗数次，氮气吹干。