| 发明名称 | 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：有源沟道区，其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102142463A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010617914.4 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 李基隆 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||