用于卡盘热校准的方法和仪器

摘要

移去晶片所暴露的热源后，测量作为时间函数的晶片温度。在晶片温度测量期间，在晶片和卡盘之间的界面处提供基本恒压的气体，晶片支撑于所述卡盘之上。与施加的气压相应的卡盘热特性参数值由作为时间函数的测得晶片温度确定。对于多个施加的气压测量晶片温度以形成一组作为气压函数的卡盘热特性参数值。卡盘的热校准曲线由该组测得卡盘热特性参数值和相应的气压生成。在制造工艺期间，卡盘的热校准曲线可以用来调整气压以得到具体的晶片温度。

主权项

执行卡盘热校准的方法，包括：(a)将晶片保持在暴露于热源的卡盘上；(b)在晶片和卡盘之间的界面处施加基本上恒压的气体；(c)移去热源；(d)热源去除后，测量作为时间函数的晶片温度，同时维持施加的气压；(e)根据作为时间函数的所测量晶片温度确定卡盘热特性参数值，其中确定的卡盘热特性参数值对应于施加的气压；(f)对于多个不同的施加气压重复操作(a)到(e)；和(g)建立确定的卡盘热特性参数值和相应气压间的相关性，以产生卡盘的热校准曲线。