抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构

摘要

本实用新型公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元呈阵列排列，EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离，在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中的每个EEPROM存储单元与其上下左右四个EEPROM存储单元通过所述场注隔开。该设计解决了由辐照所产生的总剂量效应对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响。本实用新型利用场注技术，对相邻的EEPROM存储单元进行隔离。该阵列设计抗总剂量能力达到200KRad（Si）以上，隔离后相邻单元之间不存在漏电流通路。在抗辐照加固的同时，没有影响到存储单元阵列本身的存储性能。

主权项

抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元呈阵列排列，EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离，其特征在于：在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中的每个EEPROM存储单元与其上下左右四个EEPROM存储单元通过所述场注隔开，所述场注与相邻EEPROM存储单元不接触。