| 发明名称 | 热处理制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明较佳实施例是公开一种热处理制作工艺。首先提供一待加热的半导体基底，然后利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。由此，本发明除了可省略现有进行热处理制作工艺时需切换不同机台的麻烦并缩短制作工艺周期，又可改善仅由半导体基底正面加热而产生图案化现象的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102142365A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010105788.4 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨建伦;李静宜;郭子凤 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种热处理制作工艺，包含提供一待加热的半导体基底；以及利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||