| 发明名称 | 使用非磁性隔离物的模制磁性材料中的GMR传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用非磁性隔离物的模制磁性材料中的GMR传感器，具体而言本发明涉及一种集成电路，包括：引线框架；和芯片，该芯片具有顶表面、底表面和多个周长边，并包括靠近顶表面设置的至少一个磁场传感器元件，其中底表面与引线框架键合。模制磁性材料封装芯片和引线框架的至少一部分，并提供基本上垂直于芯片的顶表面的磁场。非磁性材料至少沿着芯片的周长边设置在芯片和模制磁性材料之间，其中芯片的周长边与平行于芯片的顶表面的水平磁场分量相交。 | ||
| 申请公布号 | CN102142515A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010568384.9 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 克劳斯·伊利安;阿道夫·科勒;马丁·皮特兹;乌韦·申德勒;霍斯特·托伊斯 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴孟秋;李慧 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：引线框架；芯片，具有顶表面、底表面和多个周长边，并且包括靠近所述顶表面设置的至少一个磁场传感器元件，其中，所述底表面与所述引线框架键合；模制磁性材料，封装所述芯片和所述引线框架的至少一部分，并提供基本上垂直于所述芯片的顶表面的磁场；和非磁性材料，至少沿着所述芯片的周长边设置在所述芯片和所述模制磁性材料之间，其中所述芯片的周长边与平行于所述芯片的顶表面的水平磁场分量相交。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格 | ||