使用非极性或半极性的含镓材料和磷光体的白光器件

摘要

本发明提供了一种封装的发光器件，所述发光器件包括：包括表面区域的衬底构件和一个或更多个覆盖所述表面区域的发光二极管器件。在一个特定的实施方案中，至少一个所述发光二极管器件制造于半极性或非极性的含GaN的衬底上。所述一个或更多个制造于所述半极性或非极性的含GaN的衬底上的发光二极管器件发射一个或更多个第一波长的显著偏振的发射。至少一个所述发光二极管器件包括量子阱区域，所述量子阱区域特征在于电子波函数和空穴波函数。在一个特定的实施方案中，所述电子波函数和空穴波函数在所述量子阱区域的预定空间区域内显著交叠。

主权项

一种发光器件，包括：包括表面区域的衬底构件；一个或更多个覆盖所述表面区域的发光二极管器件，至少一个所述发光二极管器件制造于半极性或非极性的含GaN的衬底上，所述至少一个或更多个制造于所述半极性或非极性的含GaN的衬底上的发光二极管器件发射一个或更多个第一波长的显著偏振的发射；与所述一个或更多个发光二极管器件连接的光学透明构件；提供于所述一个或更多个发光二极管器件和所述光学透明构件之间的光路；和形成在所述光学透明构件的邻近内的一定厚度的一种或更多种实体，所述一种或更多种实体受所述显著偏振的发射激发而发射一个或更多个第二波长的电磁辐射。