一种集成电路晶片结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成电路晶片结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层；步骤2，在第二多晶硅层和/或第一多晶硅层上涂覆光阻并对光阻进行蚀刻；步骤3，对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行蚀刻，去除光阻、部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；步骤4，沉积SiN衬垫，而后对SiN衬垫进行大面积蚀刻，使衬垫沿多晶硅残留最小；步骤5，对多晶硅残留进行氧化。本发明的有益效果在于，通过该方法，增加了一个沉积SiN衬垫的步骤，对多晶硅残留物进行处理，使其经氧化后不会对后续的过程产生不利影响。

主权项

一种集成电路晶片结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层；步骤2，在第二多晶硅层和/或第一多晶硅层上涂覆光阻并对光阻进行蚀刻；步骤3，对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行蚀刻，去除光阻、部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；步骤4，沉积SiN衬垫，而后对SiN衬垫进行大面积蚀刻，仅在浮动栅极和控制栅极、选择栅极、多晶硅残留的侧面覆盖有侧间隙壁；步骤5，对多晶硅残留进行氧化。