| 发明名称 | 蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO2膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体(S)载置在可真空排气的处理容器(12)内的载置台(16)上的工序、向上述处理容器(12)内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序、和在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台(16)的工序。施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101506951B | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200780031715.1 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西塚哲也 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO2膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法，上述蚀刻对象膜由层间绝缘膜构成，在该层间绝缘膜的下表面上设有阻蚀膜，其特征在于，该蚀刻方法包括：将被处理体载置在可真空排气的处理容器内的载置台上的工序；向上述处理容器内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序；在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台的工序，施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括：施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序，使形成在上述层间绝缘膜上的槽部和孔部的各底部同时到达上述阻蚀膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||