发明名称 |
利用激光诱导效应改变CrO<sub>2</sub>薄膜磁性的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法,该方法为:在室温下,利用光子能量为2.0eV-3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜;在进行上述步骤的同时,对铁磁体CrO2薄膜施加外加电场,以调控在激光诱导下CrO2薄膜磁性的变化量以及相应的阻抗的变化。本发明不仅有助于阐明光诱导磁相变的物理机制,而且对开发新型的光存储磁性器件以及光控制器件具有重要意义;本方法可采用CrO2薄膜在能量范围为1.2-1.75eV内的光吸收或透过率的变化来表征CrO2薄膜的磁性变化,为测量并研究CrO2薄膜的磁性改变提供了简单方便的途径;本方法为设计新型光电磁性器件提供了一种新的途径,具有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN1929049B |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN200610041311.8 |
申请日期 |
2006.08.14 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
刘晓峻;吴雪炜;程营;吴大健 |
分类号 |
H01F10/14(2006.01)I;G11C11/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01F10/14(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种利用激光诱导效应改变CrO2薄膜磁性的方法,其特征在于,该方法步骤为:(1)在室温下,利用光子能量为2.0eV‑3.5eV的脉冲激光辐照CrO2薄膜。 |
地址 |
210093 江苏省南京市汉口路22号 |