发明名称 利用激光诱导效应改变CrO<sub>2</sub>薄膜磁性的方法
摘要 本发明公开了一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法,该方法为:在室温下,利用光子能量为2.0eV-3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜;在进行上述步骤的同时,对铁磁体CrO2薄膜施加外加电场,以调控在激光诱导下CrO2薄膜磁性的变化量以及相应的阻抗的变化。本发明不仅有助于阐明光诱导磁相变的物理机制,而且对开发新型的光存储磁性器件以及光控制器件具有重要意义;本方法可采用CrO2薄膜在能量范围为1.2-1.75eV内的光吸收或透过率的变化来表征CrO2薄膜的磁性变化,为测量并研究CrO2薄膜的磁性改变提供了简单方便的途径;本方法为设计新型光电磁性器件提供了一种新的途径,具有广泛的应用前景。
申请公布号 CN1929049B 申请公布日期 2011.08.03
申请号 CN200610041311.8 申请日期 2006.08.14
申请人 南京大学 发明人 刘晓峻;吴雪炜;程营;吴大健
分类号 H01F10/14(2006.01)I;G11C11/14(2006.01)I 主分类号 H01F10/14(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种利用激光诱导效应改变CrO2薄膜磁性的方法,其特征在于,该方法步骤为:(1)在室温下,利用光子能量为2.0eV‑3.5eV的脉冲激光辐照CrO2薄膜。
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号