发明名称 |
一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法,该制作方法包含:提供一基板;通过第一道光蚀刻制程形成栅极、栅极线和共同电极于基板上,其中栅极、栅极线和共同电极位于基板上同一层;形成一栅极绝缘层覆盖于基板上,接着形成一半导体层覆盖在绝缘层上,并通过第二光蚀刻制程将半导体层图案化;通过第三道光蚀刻制程形成数据线、源极和漏极于栅极绝缘层和半导体层之上;通过第四道光蚀刻制程形成画素电极于栅极绝缘层和部分该漏极之上,最后通过第五道光蚀刻制程形成钝化层覆盖源极、漏极、半导体层和画素电极。 |
申请公布号 |
CN102142396A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201110022726.1 |
申请日期 |
2011.03.02 |
申请人 |
深超光电(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳智忠;谢蓓 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦;李庆波 |
主权项 |
一种制作边缘电场型液晶显示器阵列基板的方法,包括如下步骤:提供一基板;通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线、多数栅极和一共通电极于该基板之上,该第一光蚀刻制程包含:形成一第一导电层于该基板上,再形成一图案化光阻于该第一导电层之上;去除未被该图案化光阻遮盖的导电层部分形成多数栅极线和多数栅极于该基板之上;形成一第一透明导电层覆盖整个基板和该图案化光阻;剥离该图案化光阻以及同时去除覆盖该图案化光阻的第一透明导电层以形成共通电极;形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极线、该栅极以及该共通电极;通过第二光蚀刻制程形成一半导体层于该栅极绝缘层之上;通过第三光蚀刻制程图案化形成多数数据线、多数源极和多数漏极于该栅极绝缘层和该半导体层之上;通过第四光蚀刻制程图案化形成多数画素电极于该栅极绝缘层和部分该漏极之上,其中每一画素电极电性连接该对应的漏极;通过第五光蚀刻制程形成一钝化层于该源极、该半导体层、该漏极、该绝缘层和该画素电极之上。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋 |