具有萧特基位障的薄膜晶体管

摘要

本实用新型涉及一种具有萧特基位障的薄膜晶体管，其特征在于：包含有一基板、一设置于该基板上的第一闸极导电层、一设置于该第一闸极导电层上且具有一第一导电型式的第一半导体层、设置于该第一半导体层上且互相电性隔离的一源极导电层与一汲极导电层、一设置于该源极导电层与该汲极导电层上且具有一第二导电型式的第二半导体层、以及一设置于该第二半导体层上的第二闸极导电层。该第一导电型式与该第二导电型式相反。本实用新型可利用外部电压改变薄膜晶体管的操作极性，具有更广泛的应用范围。

主权项

一种具有萧特基位障的薄膜晶体管，其特征在于，包含有：一基板；一第一闸极导电层，设置于该基板上；一第一半导体层，设置于该第一闸极导电层上，其中该第一半导体层具有一第一导电型式；一源极导电层与一汲极导电层，设置于该第一半导体层上，且该源极导电层与该汲极导电层电性隔离；一第二半导体层，设置于该源极导电层与该汲极导电层上，其中该第二半导体层具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反；以及一第二闸极导电层，设置于该第二半导体层上。