| 发明名称 | 制备自支撑式晶化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备具有大于1mm的晶粒尺寸的自支撑式晶化硅薄膜的方法。本发明还涉及用于制备自支撑式硅带的所述方法的用途，以及以此方式获得的硅带。 | ||
| 申请公布号 | CN102144283A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200980134958.7 | 申请日期 | 2009.09.03 |
| 申请人 | 原子能与替代能源委员会 | 发明人 | 简-保罗·加朗代;丹尼斯·卡梅尔;贝亚特丽斯·德勒韦 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种制备自支撑式晶化硅薄膜的工艺，所述工艺至少包括如下步骤：(1)提供由至少三个不同的层叠的膜构成的材料所形成的薄片，所述层叠的膜即为衬底膜、表面硅膜和介于该衬底膜和该表面硅膜之间的碳基牺牲膜，(2)加热所述薄片的至少一个区域，以使存在于所述区域的表面上的硅熔化，并通过使熔融的所述硅与形成所述牺牲膜的碳起反应而形成与所述熔融的硅的膜相邻的SiC膜，(3)通过使步骤(2)中的所述熔融的硅区域冷却来进行固化，以及(4)通过该SiC膜与所述衬底膜的自然分离，而重新获得期望的硅薄膜。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||