发明名称 |
具有参考单元阵列的相变存储器件 |
摘要 |
本发明提供了一种具有参考单元阵列的相变存储器件。该相变存储器件包括与多条字线交叉的多条位线和一条参考位线。单元阵列块具有在字线和位线交叉的地方排列的相变电阻单元。参考单元阵列块,配置成输出参考电流,并且在字线和参考位线交叉的地方形成。列选择单元,配置成选择连接到单元阵列块的相应的位线。参考列选择单元连接到参考单元阵列块,并且配置成选择参考位线。读出放大器连接到列选择单元和参考列选择单元,并且配置成接收参考电流和位线的单元数据电流。 |
申请公布号 |
CN101364434B |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN200810168693.X |
申请日期 |
2008.06.20 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
姜熙福;洪锡敬 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
钱大勇 |
主权项 |
一种相变存储器件,包括:单元阵列块,包括一个或多个相变电阻单元,在一条或多条字线和一条或多条位线的交叉点上形成每个相变电阻单元;参考单元阵列块,配置成输出参考电流,所述参考单元阵列块包括一个或多个参考单元,在字线和参考位线的交叉点上形成每个参考单元;列选择单元,连接到所述单元阵列块的一条或多条位线的每一条,并且配置成选择连接到所述单元阵列块的一条或多条位线的一条或多条;参考列选择单元,连接到所述参考单元阵列块的参考位线,并且配置成选择所述参考位线;以及读出放大器,连接到所述列选择单元和所述参考列选择单元,并且依照所述参考单元阵列块的参考电流以及由所述列选择单元所选择的位线的单元数据电流进行放大。 |
地址 |
韩国京畿道 |