半导体发光器件中生长的光子晶体

摘要

在诸如III-氮化物结构之类的半导体结构内生长的光子晶体，该半导体结构包括布置在n型区与p型区之间的发光区。该光子晶体可以是由具有与半导体材料不同的折射率的材料所分离的多个半导体材料区域。例如，光子晶体可以是在该结构中生长、且通过空气间隙或掩模材料区域分离的半导体材料的柱桩。生长光子晶体而不是将光子晶体蚀刻到早已生长的半导体层中，避免了由于蚀刻所导致的、可降低效率的损坏，并且提供了其上形成电触点的不间断的平坦表面。

主权项

一种用于在半导体结构之内生长光子晶体的方法，该半导体结构包括被配置为当正向偏置时发射出波长为λ的光的发光区，所述发光区布置在n型区与p型区之间，其中光子晶体包括：具有第一折射率的多个半导体材料区域；以及具有第二折射率的多个材料区域，其中第二折射率与第一折射率不同；其中具有第二折射率的材料的区域以阵列方式布置在半导体材料区域之间，并且每个具有第二折射率的材料的区域距最近的、具有第二折射率的材料的相邻区域小于5λ，其中，所述发光区是平坦的并且所述具有第二折射率的材料的区域被限制在所述发光区之上或之下的区域。