| 发明名称 | 功率半导体装置、功率半导体装置的制造方法以及马达驱动装置 | ||
| 摘要 | 驱动马达的逆变器(14)包括多个功率半导体装置(41～46)。多个功率半导体装置(41～46)包括电连接在IGBT元件的集电极一发射极之间的电阻。多个功率半导体装置(41～46)中的每一个用于构成逆变器(14)的U相桥臂(15)、V相桥臂(16)、以及W相桥臂(17)中的一个。由此，由于在逆变器(14)中内置有放电电阻，因此可以不另外准备放电电阻。因此，能够消减马达驱动装置的部件数量并降低作业工时。 | ||
| 申请公布号 | CN101689546B | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200880018250.0 | 申请日期 | 2008.06.11 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 广濑敏;菊田大悟 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷;南霆 |
| 主权项 | 一种功率半导体装置，包括：第一和第二主电极，分别形成在半导体衬底的第一和第二主面上；功率半导体元件，形成在所述半导体衬底上，并与所述第一和第二主电极电连接；以及电阻元件，形成在所述半导体衬底上，并与所述功率半导体元件并联地与所述第一和第二主电极电连接；其中，所述功率半导体元件包括第一控制电极，所述第一控制电极构成为根据第一控制电压来控制在所述第一和第二主电极之间流动的电流，所述功率半导体元件为绝缘栅双极晶体管，所述电阻元件为耗尽型MOSFET，所述耗尽型MOSFET具有第二控制电极，所述第二控制电极构成为根据第二控制电压而使所述耗尽型MOSFET自身的电阻值改变。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||