发明名称 |
可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料 |
摘要 |
本发明属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种可作为有机薄膜晶体管绝缘层材料并可以直接光写入图案化的有机-无机杂化材料,该杂化材料在紫外波200~400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。在该杂化材料中,有机部分为既含有光敏基团又含有硅氧烷结构的聚氨酯,无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物,无机部分的质量为有机部分质量的10%~70%。测试结果表明该杂化材料应用在晶体管绝缘层时具有场效应,晶体管的开关比为104,迁移率为0.08cm2Ns,基本接近非晶硅的水平。 |
申请公布号 |
CN101775207B |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201010030843.8 |
申请日期 |
2010.01.20 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
崔占臣;张学辉;史作森;闫东航;王磊 |
分类号 |
C08L75/14(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;G03F7/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;C08G18/67(2006.01)I |
主分类号 |
C08L75/14(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
1.一种可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料,其特征在于:绝缘层材料为有机-无机杂化材料,有机部分为既含硅氧烷结构又含有光敏基团的聚氨酯有机聚合物,其结构式如下所示,<img file="FSB00000498450600011.GIF" wi="1101" he="204" />其中,a+b+c=1,a=0.1~0.5,c=0.1~0.5,A的结构如下,<img file="FSB00000498450600012.GIF" wi="1759" he="1188" />M的结构如下,<img file="FSB00000498450600013.GIF" wi="1560" he="367" />D的结构如下,<img file="FSB00000498450600014.GIF" wi="1524" he="195" /><img file="FSB00000498450600021.GIF" wi="1010" he="192" />X为光敏基团,具体如下,<img file="FSB00000498450600022.GIF" wi="1559" he="225" />Y为硅烷偶联剂,具体结构如下,<img file="FSB00000498450600023.GIF" wi="775" he="182" />无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物,无机部分的质量为有机部分质量的10%~70%。 |
地址 |
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