成膜方法

摘要

本发明的成膜方法包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD在上述第一阶段堆积的初期的金属氮化膜上进一步堆积金属氮化膜，使其达到规定的膜厚，其中，上述第一阶段和上述第二阶段都将由供给上述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤和停止上述金属化合物气体而供给上述含氮还原气体的第二步骤构成的循环反复进行一个循环以上。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体并通过CVD使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD在所述第一阶段堆积的初期的金属氮化膜上进一步堆积金属氮化膜，使其达到规定的膜厚，所述第一阶段将由供给所述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤和停止所述金属化合物气体而供给所述含氮还原气体的第二步骤构成的循环反复进行一个循环以上，所述第一阶段中的所述第二步骤的含氮还原气体的流量为所述第一步骤的含氮还原气体的流量以上。