| 发明名称 |
多晶硅/铜铟镓硒叠层电池工艺 |
| 摘要 |
本发明是新型的多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，结合多晶硅太阳电池和铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se2简称CIGS)薄膜太阳电池特点。采用多种薄膜沉积技术制备多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，提高多晶硅/铜铟镓硒叠层电池光电转换效率。不仅能够克服晶硅太阳电池生产过程中出现的工艺复杂、能耗高等问题，同时也能解决铜铟镓硒薄膜太阳电池生产过程中出现的良品率低等问题。本叠层电池具有低成本、高的稳定性、长的使用寿命以及较高光电转换效率，具有比较好的开发价值。 |
| 申请公布号 |
CN102142484A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
| 申请号 |
CN201110030237.0 |
申请日期 |
2011.01.28 |
| 申请人 |
南昌航空大学 |
发明人 |
王应民;李清华;蔡莉;张婷婷;李禾;程泽秀 |
| 分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
多晶硅/铜铟镓硒叠层电池其特征在于：结合了多晶硅太阳电池和铜铟镓硒薄膜太阳电池特点，提高叠层电池的光电转换效率。 |
| 地址 |
330063 江西省南昌市丰和南大道696号 |
