| 发明名称 | 一种晶圆表面平坦化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆表面平坦化方法，包括：在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，获取满足设计需求的晶圆表面平整度，在刻蚀后的SOG层上边淀积第二层二氧化硅层。该方法在旋涂SOG层之后，通过刻蚀的方式改善涂覆后的晶圆表面平整度，能够获得较好的表面平坦化效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102142368A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010104533.6 | 申请日期 | 2010.02.01 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈建国;席华萍 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括：在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，获取满足设计需求的晶圆表面平整度，在刻蚀后的SOG层上边淀积第二层二氧化硅层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||