| 发明名称 |
一种高出光率LED制造方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种高出光率LED制造方法，包括如下步骤1)在沉积了P型区域的外延片上蚀刻出N型区域；2)在N型区域沉积透明电极层；3)使用光刻的方法光刻出透明电极；4)在N型区域的透明电极上沉积金属电极。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种结构简单、出光效率高的高出光率LED制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN102142486A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
| 申请号 |
CN201010612708.4 |
申请日期 |
2010.12.29 |
| 申请人 |
刘经国 |
发明人 |
刘经国 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种高出光率LED制造方法，其特征在于：包括如下步骤1)在沉积了P型区域的外延片上蚀刻出N型区域；2)在N型区域沉积透明电极层；3)使用光刻的方法光刻出透明电极；4)在N型区域的透明电极上沉积金属电极。 |
| 地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
