| 发明名称 | 发光器件、发光器件封装以及照明系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构上的光提取图案，其中周期(a)超过λ/n(其中，λ是从有源层发射的光的波长，并且n是发光结构的折射率)。周期(a)可以是处于5×(λ/n)＜a＜15×(λ/n)的范围内。光提取图案的蚀刻深度(h)可以等于或大于λ/n。 | ||
| 申请公布号 | CN102142500A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201110036228.2 | 申请日期 | 2011.02.01 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金鲜京 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及所述发光结构上的光提取图案，其中，周期(a)超过λ/n(其中，λ是从所述有源层发射的光的波长，以及n是所述发光结构的折射率)。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||