| 发明名称 | 一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N2/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜。本发明采用脉冲发应磁控溅射，通过调整AlN层与ZrN层单层厚度改变薄膜硬度与抗氧化性，本发明所沉积的AlN/ZrN纳米多层膜具有高的硬度和抗氧化温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102140620A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201110054870.3 | 申请日期 | 2011.03.08 |
| 申请人 | 西安宇杰表面工程有限公司 | 发明人 | 宋忠孝;徐可为;田增瑞 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 陆万寿 |
| 主权项 | 一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，其特征在于：采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N2/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率调整和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦南一层 | ||