磁传感器及其电子设备

摘要

本发明公开一种磁传感器及其制造方法、电子设备。所述磁传感器具有磁场感应部分并检测两个或更多磁场。所述磁场感应部分具有包括Ni、Fe和Co为主要成分并具有磁致电阻效应的合金金属薄膜；待测磁场中的至少一个是2.5mT或更大。在待测磁场之中，最小磁场与最大磁场间相差0.5mT或更多。所示合金金属薄膜具有1.5×10-5或更小的磁致伸缩常数(λ)绝对值，80e或更大且160e或更小的各向异性磁场(Hk)，以及2.5％或更大的磁致电阻改变率。所述合金金属薄膜在同时满足以下关系的组成范围之内：21x+19y≤1869，5x+28y≥546，y≤11，x+y≥85，其中Ni的组成比按重量由x％代表，Co的组成比按重量由y％代表。

主权项

一种电子设备，包括：磁传感器(210，103)，具有磁场感应部分(232)，所述磁场感应部分具有合金金属薄膜(214)，所述合金金属薄膜包括Ni、Fe和Co作为主要成分并具有磁致电阻效应，所述合金金属薄膜(214)在同时满足以下关系的组成范围之内：21x+19y≤1869，5x+28y≥546，y≤11，以及x+y≥85，Ni的组成比按重量由x％代表，Co的组成比按重量由y％代表，其中磁场感应部分(232)具有由所述合金金属薄膜(214)形成的两个可变电阻器(233，234；254，253)和两个固定电阻器(235，236；251，252)，所述可变电阻器(233，234；254，253)和固定电阻器(235，236；251，252)构成桥电路(255)，所述桥电路(255)具有第一连接点(256)和第二连接点(259)，从所述第一连接点和第二连接点获得磁场感应部分(232)的感应信号；所述磁传感器还包括：第一比较器(257)，具有连接到桥电路(255)的第一连接点(256)的第一负侧输入端子和连接到桥电路(255)的第二连接点(259)的第一正侧输入端子；第二比较器(258)，具有连接到桥电路(255)的第一连接点(256)的第二负侧输入端子和连接到桥电路(255)的第二连接点(259)的第二正侧输入端子；第一驱动电路(265)，连接到第一比较器(257)；和第二驱动电路(267)，连接到第二比较器(258)；所述电子设备还包括：第一组件(101)；和第二组件(102)，相对于第一组件可移动，其中所述磁传感器(103)装到第一组件(101)上，磁铁(105)装到第二组件(102)上；或者所述磁传感器装到第二组件(102)上，磁铁装到第一组件(101)上，其中所述磁传感器(103)配置为检测所述磁铁(105)产生的第一和第二磁场，所述第一磁场是2.5mT或更大，当第一和第二组件处于第一位置关系时检测到所述第一磁场，所述第二磁场比第一磁场低0.5mT或更多，当第一和第二组件处于第二位置关系时检测到所述第二磁场，在所述第二位置关系中，所述磁传感器(103)和磁铁(105)之间的距离比第一位置关系中更大，其中第一比较器(257)和第二比较器(258)之一被配置为对与高磁场区域中的磁场改变相对应的电压改变进行充分的响应，因此相应的第一驱动电路(265)或第二驱动电路(267)输出第一预定磁场检测信号以获得第一检测结果，其中第一比较器(257)和第二比较器(258)中的另一个被配置为对与低磁场区域中的磁场改变相对应的电压改变进行充分的响应，因此相应的第一驱动电路(265)或第二驱动电路(267)输出第二预定磁场检测信号以获得第二检测结果，以及其中所述电子设备还包括控制电路，该控制电路输出根据第一检测结果和第二检测结果而改变的控制信号。