电阻转换存储器的制造方法

摘要

本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。

主权项

一种制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于，其包括如下步骤：C1、在基底上，制造出浅沟槽阵列，在浅沟槽中沉积第一类型导电材料，形成的第一类型导电材料线条作为字线；C2、沉积重掺杂多晶硅，避免多晶硅与第一类型导电字线之间形成金属‑半导体接触；C3、沉积轻掺杂多晶硅，作为肖特基二极管的半导体层；C4、退火处理；C5、沉积与轻掺杂多晶硅形成金属‑半导体接触的第二类型金属，第二类型金属层与轻掺杂多晶硅之间形成肖特基接触，此外，第二类型金属层还作为电阻转换存储器的电极；C6、通过牺牲层材料的沉积和回刻工艺，在浅沟槽中的金属层上制造出侧墙；C7、沉积电阻转换存储介质材料，沉积完毕后采用化学机械抛光工艺进行平坦化，仅保留侧墙内的存储材料；C8、沉积第三类型电极材料，通过光刻工艺制造出位线，制造位线过程中的刻蚀深度直到第一类型导电材料的上方，将多晶硅、第二类型金属以及存储介质材料分隔成分立的单元，形成肖特基二极管单元和存储单元；C9、通过绝缘介质材料的填充和平坦化工艺，最终得到基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列。